QLC閃存為什么壽命短?
可擦寫次數(shù)少。

因為NAND在反復(fù)的寫入過程當(dāng)中，會因為存儲單元的充電、放電、電荷反復(fù)穿越，造成不可逆的影響；

而QLC的一個存儲單元需要保存數(shù)據(jù)的16種狀態(tài)，相比RLC的8種、MLC的4種等來說更加復(fù)雜。

而隨著NAND的磨損情況不斷的加劇，其狀態(tài)發(fā)生改變的速度也會變得更快；

所以QLC NAND支持的最大可擦寫次數(shù)更少的主要原因，這是使用壽命短的主要現(xiàn)。

NAND的最大可擦寫次數(shù)就是影響SSD壽命的其中一個因素，比如容量、固件算法都是影響SSD壽命的因素之一。

描述SSD的壽命，最根本的數(shù)據(jù)是“存儲單元PE數(shù)”簡稱“PE數(shù)”，簡單說就是“全盤擦除次數(shù)”，也就是一坨SSD，全盤寫滿再清空，記作1次“PE”。

這個“PE數(shù)”在SLC是十萬量級的，在MLC是萬級的，在TLC是千級別的，在QLC估計只剩下幾百了。